KRI考夫曼射频离子源RFCIP220溅射沉积红外器件介质膜

   日期:2021-01-13     浏览:0    评论:0    
核心提示:某红外半导体镀膜工业厂商采用伯东KRI考夫曼射频离子源RFCIP220辅助溅射沉积红外器件介质膜,以提高镀膜厚度的均匀性.伯东KRI射频
   某红外半导体镀膜工业厂商采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积红外器件介质膜以提高镀膜厚度的均匀性

 

伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:

portant;">

离子源型号

portant;">

RFICP220

portant;">

Discharge

portant;">

RFICP 射频

portant;">

离子束流

portant;">

>800 mA

portant;">

离子动能

portant;">

100-1200 V

portant;">

栅极直径

portant;">

20 cm Φ

portant;">

离子束

portant;">

聚焦,  平行,  散射

portant;">

流量

portant;">

10-40 sccm

portant;">

通气

portant;">

Ar,  Kr,  Xe,  O2,  N2,  H2,  其他

portant;">

典型压力

portant;">

< 0.5m Torr

portant;">

长度

portant;">

30 cm

portant;">

直径

portant;">

41 cm

portant;">

中和器

portant;">

LFN 2000

可选灯丝中和器可变长度的增量

KRI 射频离子源 RFICP 220

提高镀膜均匀性的重要性:

以碲镉汞半导体材料为代表的红外探测器器件工艺中几乎都要进行表面钝化和金属膜电极成型工艺在红外焦平面和读出电路的互连工艺中金属膜的厚度均匀性对于互连工艺的可靠性起着至关重要的作用.  在背照式红外探测器的红光收面往往都要涂镀一层或数层介质膜以起到对器件进行保护和对红外辐射减反射的作用介质膜的厚度均匀性同样会影响探测器的滤光和接收带宽

 

为了提高均匀性客户同时采用基片离心旋转法样品台转速为 15 r/min. 

 

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

 

若您需要进一步的了解详细信息或讨论,  请参考以下联络方式:

上海伯东罗先生                               台湾伯东王女士
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

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